Article: Etude des interfaces Si[O.sub.2]/Ti[O.sub.2] et Ti[O.sub.2]/Si[O.sub.2] dans la structure Si[O.sub.2]/Ti[O.sub.2]/Si[O.sub.2]/c-Si preparee par pulverisation cathodique radio frequence.

Resume: La structure atomique des interfaces Si[O.sub.2]/Ti[O.sub.2] et Ti[O.sub.2]/Si[O.sub.2] qui interviennent dans l'empilement Si[O.sub.2]/Ti[O.sub.2]/Si[O.sub.2]/c-Si a ete etudiee par l'ensemble de trois techniques d'analyses tres sensibles a l'etat de la surface et a celle de l'interface : la spectroscopie de photoemission X (XPS), la diffraction des rayons X en incidence tres rasante (GIXD) et la reflectometrie des rayons X en incidence tres rasante (GIXR). Ces interfaces ont ete realisees par le depot sequentiel des couches minces des dioxydes de silicium et de titane par pulverisation cathodique radio frequence reactive. Le profil de concentration XPS ainsi que ...

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